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村田制作所推出全球首款1210英寸的多層陶瓷電容器

   2025-12-04 蓋世汽車劉麗婷1140
核心提示:據(jù)外媒報道,株式會社村田制作所(Murata Manufacturing Co. Ltd)宣布推出并量產(chǎn)其新型多層陶瓷電容器(MLCC)。該產(chǎn)品電容為15

據(jù)外媒報道,株式會社村田制作所(Murata Manufacturing Co. Ltd)宣布推出并量產(chǎn)其新型多層陶瓷電容器(MLCC)。該產(chǎn)品電容為15nF,額定電壓為1.25kV,采用C0G特性,尺寸為緊湊的1210英寸(3.2mm x 2.5mm)。該產(chǎn)品具有高效的功率轉(zhuǎn)換效率和在高壓條件下的穩(wěn)定性能,適用于電動汽車車載充電器(OBC)和高性能消費電子設(shè)備的電源電路。

村田.jpg

圖片來源: 村田制作所

諧振電路和緩沖電路對于高效功率轉(zhuǎn)換和抑制電流及電壓峰值至關(guān)重要。在這兩種電路中,反復(fù)暴露于高電壓和高電流會導(dǎo)致元件性能發(fā)生哪怕是微小的變化,從而造成效率損失或發(fā)熱,并可能導(dǎo)致故障或失效。近期趨勢還表明,電源開關(guān)器件正從硅MOSFET轉(zhuǎn)向碳化硅(SiC)MOSFET,后者能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率和更快的開關(guān)速度。SiC MOSFET應(yīng)用需要1.2kV的擊穿電壓,這推動了對額定值超過此規(guī)格的電容器的需求。因此,這些應(yīng)用需要能夠在寬溫度范圍內(nèi)保持穩(wěn)定性能、最大限度降低功率損耗并承受高工作電壓的電容器。

利用村田制作所獨有的陶瓷和電極材料、薄層成型技術(shù)和高精度堆疊技術(shù),這款新型1.25kV MLCC滿足了上述需求,并支持最新的SiC MOSFET技術(shù)。該產(chǎn)品符合EIA標(biāo)準(zhǔn)的C0G特性,具有低損耗和在-55°C至+125°C工作溫度范圍內(nèi)電容穩(wěn)定的固有優(yōu)勢,使其成為諧振電路和緩沖電路的理想之選。為了提高設(shè)計靈活性,其電容范圍從4.7nF到15nF,容差為±1%至±5%。

村田制作所將繼續(xù)致力于MLCC的小型化、電容提升和耐壓性能的提高,同時通過高效利用資源、減少浪費和回收利用來降低生產(chǎn)過程中的環(huán)境影響。


 
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